芯三代半导体申请碳化硅外延生长方法专利，优化电场分布
创始人
2026-01-29 15:13:31
0次
国家知识产权局信息显示，芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅外延生长方法”的专利，公开号CN121407215A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请公开一种碳化硅外延生长方法，其基于碳化硅外延设备，该方法包括：在刻蚀阶段利用加热器将反应腔加热至第一预设温度，并利用喷淋部件向反应腔内通入一定流量的氢气，以刻蚀所述衬底的表面；在缓冲层生长阶段，利用加热器将反应腔的温度维持在第二预设温度，利用喷淋部件向反应腔内通入C/Si比介于0.5‑1.2的碳源气体及硅源气体，通入掺杂气体，及流量介于300‑1000sccm的氯化氢气体，以得到预设厚度的缓冲层；在主体层生长阶段，利用喷淋部件增加通入反应腔的碳源气体及硅源气体的量，通入与缓冲层生长阶段通入的种类或成分不同的掺杂气体，及流量介于300‑1000sccm的氯化氢气体，以得到预设厚度的主体层。该方法下实现不同膜层的掺杂浓度梯度变化，优化电场分布。
天眼查资料显示，芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司，成立于2020年，位于苏州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本6413.3399万人民币。通过天眼查大数据分析，芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息111条，此外企业还拥有行政许可13个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
相关内容
热门资讯
DCDC 电源拓扑详解，硬件电...
做硬件设计，电源是绕不开的话题。不管你画什么板子，总得给芯片供电。很多人会用DCDC芯片，照着参考电...
绿电领跑全省 辽宁新能源装机规...
来源：央视新闻 辽宁目前火电装机容量接近4200万千瓦，4月20日，随着铁岭昌图润航50万千瓦项目的...
ABB申请极柱部件专利，用于测...
国家知识产权局信息显示，ABB瑞士股份有限公司申请一项名为“极柱部件”的专利，公开号CN121831...
超导概念板块4月20日涨3.0...
证券之星消息，4月20日超导概念板块较上一交易日上涨3.04%，中天科技领涨。当日上证指数报收于40...
三星LG联手攻坚CPO！半导体...
据ETNews，三星电机和LG Innotek已启动合作，开始评估在半导体基板上实现CPO所需的原型...
从华强北柜台到千亿存储帝国：蔡...
文｜投资者网 2026年4月14日，深圳股市迎来了一个历史性时刻——国内存储芯片三大龙头江波龙、佰...
为智慧影像而生：华为Pura ...
IT之家 4 月 20 日消息，华为 Pura 系列及全场景新品发布会正在进行中。华为常务董事、产品...
AI芯片流片与先进封装共振，驱...
截至2026年4月20日收盘，上证科创板芯片指数(000685)强势上涨1.60%，成分股沪硅产业上...
浙江瑞坦数字能源申请具有测温功...
国家知识产权局信息显示，浙江瑞坦数字能源有限公司申请一项名为“一种具有测温功能的电的开关”的专利，公...
示波器厂家选型指南：适配电子制...
示波器作为电子测量领域的关键工具，广泛应用于电子制造、科研、高校等多个领域。在选择示波器相关产品和服...