河北同光半导体取得去除大尺寸碳化硅衬底表面金属离子残留清洗方法专利
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2025-07-04 09:38:24
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金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，河北同光半导体股份有限公司取得一项名为“一种去除大尺寸碳化硅衬底表面金属离子残留的清洗方法”的专利，授权公告号CN119943651B，申请日期为2025年04月。
天眼查资料显示，河北同光半导体股份有限公司，成立于2012年，位于保定市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本40814.5232万人民币。通过天眼查大数据分析，河北同光半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目47次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息139条，此外企业还拥有行政许可22个。
来源：金融界
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