贵州辰矽电子申请集成温度传感器的沟槽MOSFET专利，保障传感器精度
创始人
2026-01-31 11:42:25
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国家知识产权局信息显示，贵州辰矽电子科技有限公司申请一项名为“一种集成温度传感器的沟槽MOSFET及测试方法”的专利，公开号CN121419301A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种集成温度传感器的沟槽MOSFET及测试方法，主要包括了从下至上依次设置的金属层、掺杂衬底层和掺杂外延层，掺杂外延层的上部左侧设置有掺杂埋层、多晶硅栅层和第一二氧化硅层，掺杂外延层的上部中间设置有掺杂井区层、第一掺杂源区层、第二掺杂源区层和源极金属层，掺杂外延层的上部右侧设置有电学隔离层、第二二氧化硅层、第一掺杂多晶硅层和第二掺杂多晶硅层。在本发明中，通过电学隔离层和第二二氧化硅层的介质隔离，温度传感器不会受到主器件的串扰，保障传感器精度。
天眼查资料显示，贵州辰矽电子科技有限公司，成立于2012年，位于贵阳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，贵州辰矽电子科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可3个。
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