和芯电子申请MOS器件寿命预测相关专利，实现对MOS器件寿命的高精度预测
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2025-07-04 14:38:14
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金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市和芯电子有限公司申请一项名为“一种MOS器件寿命预测方法、系统和电子设备”的专利，公开号CN120257843A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本发明涉及集成电路可靠性技术领域，公开了一种MOS器件寿命预测方法、系统和电子设备，其中，一种MOS器件寿命预测方法包括：构建连续时间动力学模型，表达MOS器件退化过程；构建器件关系图结构，捕捉器件间空间相关性；执行多时间尺度分解，解析器件退化的时序特性；应用自适应数值求解算法，实现退化轨迹预测；实施物理约束正则化，提升模型的物理合理性。本发明通过融合图神经微分方程与多时间尺度分解技术，解决了现有技术中离散时间建模不足、器件间协同效应忽略、多尺度特性处理困难等问题，实现了对MOS器件寿命的高精度预测。
天眼查资料显示，深圳市和芯电子有限公司，成立于2011年，位于深圳市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本200.8万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市和芯电子有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可7个。
来源：金融界
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