武汉楚兴技术申请半导体结构及其制备方法专利，改善衬底的弯曲形变程度
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2026-02-06 11:15:13
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国家知识产权局信息显示，武汉楚兴技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121463549A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其制备方法，提供衬底，衬底包括多个有源区以及位于相邻的有源区之间的隔离区，在隔离区内形成至少一个凹槽，凹槽的开口位于硅衬底的目标表面，凹槽内形成填充层；在填充层的表面上形成应力调节层；在目标表面和应力调节层的表面上形成多晶硅层。这样，虽然多晶硅层会对衬底产生压应力，使得衬底向下弯曲，但应力调节层会对压应力进行调节，从而缓解多晶硅层产生的压应力，改善衬底的弯曲形变程度，从而避免对后续多晶硅光刻工艺的对准精度造成影响，通过在隔离区形成应力调节层，不会影响有源区的器件结构及性能，提高了半导体结构器件的机械性能和电学性能。
天眼查资料显示，武汉楚兴技术有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2074316.847826万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉楚兴技术有限公司参与招投标项目40次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息113条，此外企业还拥有行政许可321个。
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来源：市场资讯
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