长江存储申请半导体结构及其制备方法专利，简化半导体结构的制备工艺
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2026-02-06 19:40:18
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国家知识产权局信息显示，长江存储控股股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统”的专利，公开号CN121463430A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在简化半导体结构的制备工艺。所述半导体结构包括多个电容器、电极层、接触柱、第一键合层、第一键合触点和引出触点。电极层包括电极部，电极部设于多个电容器在第一方向上的一侧，且与多个电容器连接；第一方向为半导体结构的厚度方向。接触柱沿第一方向延伸设置。第一键合层设于多个电容器在第一方向上的一侧；第一键合层包括远离多个电容器的第一表面。第一键合触点自第一表面贯穿第一键合层，与接触柱连接。引出触点自第一表面贯穿第一键合层，与电极部连接。上述半导体结构应用于存储器中。
天眼查资料显示，长江存储控股股份有限公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1782000万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储控股股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目4次，专利信息18条，此外企业还拥有行政许可4个。
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来源：市场资讯
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