华光光电申请窄脊宽氮化镓基激光器芯片专利，提高激光器输出功率
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2026-02-07 09:12:57
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国家知识产权局信息显示，山东华光光电子股份有限公司申请一项名为“一种窄脊宽氮化镓基半导体激光器芯片及其制备方法”的专利，公开号CN121461098A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及一种窄脊宽氮化镓基半导体激光器芯片及其制备方法，其制备方法包括步骤：在基本外延结构上依次形成ITO导电层和二氧化硅层；腐蚀去除脊区位置以外的二氧化硅层；刻蚀到电子阻挡层，形成窄脊；在外延结构上方生长氮化铝薄膜；刻蚀窄脊侧壁位置的氮化铝薄膜，形成氮化铝介质层；将窄脊上方的二氧化硅层完全腐蚀掉；在氮化铝介质层和ITO导电层上形成p型金属电极；在减薄、抛光后的衬底下形成n型金属电极。本发明利用SiO2和AlN介质层共同作为电流限制层，在保证窄脊宽结构的基础上，增大了电流注入面积，提高了激光器的输出功率。
天眼查资料显示，山东华光光电子股份有限公司，成立于1999年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6264.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，山东华光光电子股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目566次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息783条，此外企业还拥有行政许可15个。
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来源：市场资讯
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