清华大学申请单刀双掷开关及其制备方法专利，三维堆叠结构有利于提升开关在高频系统中的集成度
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2026-02-14 14:13:05
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国家知识产权局信息显示，清华大学;无锡梦溪智能系统有限公司申请一项名为“单刀双掷开关及其制备方法”的专利，公开号CN121506802A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请提供了一种单刀双掷开关及其制备方法，涉及微机电射频开关技术领域。单刀双掷开关包括堆叠设置的第一层结构、悬空电极和第二层结构。第一层结构包括第一衬底、第一驱动电极和第一触点，第一驱动电极和第一触点均设置于第一衬底的靠近第二层结构的一侧。第二层结构包括第二衬底、第二驱动电极和第二触点，第二驱动电极和第二触点均设置于第二衬底的靠近第一层结构的一侧。悬空电极设置于第一层结构与第二层结构之间，单刀双掷开关还包括公共输入端，悬空电极与公共输入端相连。悬空电极被配置为在第一驱动电极的驱动下与第一触点相接触，并且，在第二驱动电极的驱动下与第二触点相接触。三维堆叠结构有利于提升开关在高频系统中的集成度。
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