LG伊诺特申请半导体封装专利，满足上接合部与通孔宽度比例范围
创始人
2026-02-18 13:41:09
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国家知识产权局信息显示，LG伊诺特有限公司申请一项名为“半导体封装”的专利，公开号CN121549095A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，根据实施例的电路板包括：绝缘层；设置在绝缘层上的上接合部；以及上保护层，所述上保护层设置在绝缘层上并且包括在垂直方向上与上接合部重叠的第一通孔，其中上接合部在水平方向上的宽度满足第一通孔在水平方向上的宽度的0.55倍至0.95倍的范围。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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