中科蓝谷半导体申请可调控阈值电压的AlGaN/GaN基HEMT器件及其制备方法专利，降低对半导体层表面的损坏风险_电池问答

中科蓝谷半导体申请可调控阈值电压的AlGaN/GaN基HEMT器件及其制备方法专利，降低对半导体层表面的损坏风险

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2025-07-05 17:09:29

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金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，中科蓝谷半导体（广西）有限公司申请一项名为“一种可调控阈值电压的AlGaN/GaN基HEMT器件及其制备方法”的专利，公开号CN120264803A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明公开了一种可调控阈值电压的AlGaN/GaN基HEMT器件及其制备方法，该器件包括从上至下依次设置的AlGaN势垒层和GaN通路层，设置在AlGaN势垒层上的源极和漏极，以及设置在源极和漏极之间的栅极；AlGaN势垒层与GaN通路层构成半导体层，AlGaN势垒层与GaN通路层之间形成异质界面，且在异质界面处产生二维电子气层，还包括设置在半导体层上多个有源区域，每个有源区域内设有相互平行的多个宽度不同的鳍片和多个沟道，鳍片的宽度为30‑500nm，且相邻鳍片之间通过沟道分隔；源极和漏极分别设置于有源区域的两侧；栅极横跨鳍片设置，且垂直于沟道和鳍片的方向。本发明通过设置多个不同宽度的鳍片实现阈值电压的调控，制备过程中不需要分离牺牲掩模，降低对半导体层表面的损坏风险。

天眼查资料显示，中科蓝谷半导体（广西）有限公司，成立于2020年，位于南宁市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，中科蓝谷半导体（广西）有限公司参与招投标项目2次，专利信息14条。

来源：金融界

方法显示宽度降低器件调控表面导体 AlGaN 专利半导体阈值鳍片源极中科蓝谷

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