三星半导体申请半导体封装件及其制造方法专利，标记图案在竖直方向上从主体部延伸超过标记框架的上表面以填充标记区域
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2026-02-28 21:18:29
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国家知识产权局信息显示，三星半导体（中国）研究开发有限公司;三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装件和制造半导体封装件的方法”的专利，公开号CN121586477A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本公开提供了半导体封装件和制造半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：基底；半导体芯片，设置在基底上；模制层，在基底上覆盖半导体芯片，模制层包括主体部和设置主体部上的标记图案；标记框架，设置在主体部上，标记框架的一部分被去除以形成标记区域。标记图案包括多个突出部。当在剖视图中观察时，所述多个突出部在水平方向上彼此分隔开，并且在竖直方向上从主体部延伸超过标记框架的上表面以填充标记区域。
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