半导体元件工业申请用于制造功率半导体器件和功率半导体结构的方法专利，该半导体区的插置在该第一特征部与该第二特征部之间的该部分包括JFET器件的沟道区或绝缘栅场效应晶体管器件的JFET区_电池问答

半导体元件工业申请用于制造功率半导体器件和功率半导体结构的方法专利，该半导体区的插置在该第一特征部与该第二特征部之间的该部分包括JFET器件的沟道区或绝缘栅场效应晶体管器件的JFET区

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2026-03-03 21:18:57

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国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“用于制造功率半导体器件和功率半导体结构的方法”的专利，公开号CN121605767A，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，一种制造半导体器件（10,30,30A,30B,30C,110,211）的方法包括提供包括衬底（12,112）和半导体区（14,114）的半导体材料主体（11,111）。在该半导体区上方提供间隔件（21B,210A,121B,221B）。提供与该间隔件的第一侧壁自对准的第一特征部（28A,31A 33A,123A,123B,123C,180A,223A,223B,223C）作为该半导体材料主体的一部分，并且提供与该间隔件的第二侧壁自对准的第二特征部（28B,31B,33A,123A,123B,123C,180B,223A,223B,223C）作为该半导体材料主体的一部分。该半导体区的一部分插置在该第一特征部与该第二特征部之间，该第一特征部和该第二特征部可以是掺杂区或凹部，并且该半导体区的插置在该第一特征部与该第二特征部之间的该部分包括JFET器件的沟道区（45）或绝缘栅场效应晶体管器件的JFET区（450）。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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半导体元件工业申请用于制造功率半导体器件和功率半导体结构的方法专利，该半导体区的插置在该第一特征部与该第二特征部之间的该部分包括JFET器件的沟道区或绝缘栅场效应晶体管器件的JFET区

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