意法半导体申请无源电子器件专利，形成应力缓冲层
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2026-03-13 11:49:23
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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“无源电子器件”的专利，公开号CN121645970A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本公开涉及无源电子器件。本公开涉及一种包括堆叠的集成无源电子器件，该堆叠从支撑件的顶面开始依次是绝缘层、金属层和由电绝缘材料制成的钝化层，钝化层涂覆金属层的顶面和侧部，其中在金属层与钝化层之间的金属层的顶部边缘上形成由与钝化层的材料不同的另一种电绝缘材料制成的应力缓冲层，应力缓冲层与金属层接触。
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来源：市场资讯
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