威比特纳米申请用于保持OxRAM高电阻和低电阻状态的改进堆叠结构专利，提高电阻状态稳定性
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2026-03-13 15:33:20
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国家知识产权局信息显示，威比特纳米有限公司申请一项名为“用于保持基于氧化物的随机存取存储器（OxRAM）的高电阻状态（HRS）和低电阻状态（LRS）的改进堆叠结构”的专利，公开号CN121645899A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，用于保持基于氧化物的随机存取存储器(OxRAM)的高电阻状态(HRS)和低电阻状态(LRS)的改进堆叠结构。一种用于电阻式随机存取存储器单元的电阻式堆叠体(Stck)包括：第一电极(El1)；第二电极(El2)；介电层(Diel)，该介电层插置在第一电极(El1)与第二电极(El2)之间，该介电层包括：第一介电层(Diel1)，该第一介电层由第一过渡金属氧化物形成；第二介电层(Diel2)，该第二介电层由与第一过渡金属氧化物不同的第二过渡金属氧化物形成；和扩散阻挡层(DiffBar)，该扩散阻挡层插置在第一介电层(Diel1)与第二介电层(Diel2)之间，并且由对于氧空位具有阻挡性质的材料形成，该阻挡性质高于第一过渡金属氧化物和第二过渡金属氧化物对于氧空位的阻挡性质。
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