松山湖材料实验室申请硅基铌三锡超导薄膜制备方法专利，成功在与微电子工艺兼容的单晶硅基底上制备出Nb3Sn超导薄膜
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2026-03-14 16:51:18
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国家知识产权局信息显示，松山湖材料实验室;中色创新研究院（天津）有限公司申请一项名为“一种硅基铌三锡超导薄膜的制备方法”的专利，公开号CN121653588A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明具体涉及一种硅基铌三锡超导薄膜的制备方法，属于超导材料制备技术领域。所述制备方法包括采用优化的双靶（Nb/Sn）磁控共溅射技术（优选Sn靶功率30W）并结合900℃/3h的高真空热处理工艺，成功在与微电子工艺兼容的单晶硅基底上，制备出了Nb3Sn超导薄膜。
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