国家知识产权局信息显示,上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“一种刻蚀量控制方法、装置、电子设备和系统”的专利,公开号CN121712259A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本申请涉及半导体制造领域,公开了一种刻蚀量控制方法、装置、电子设备和系统,方法包括:获取在干法刻蚀后且在湿法刻蚀前应力记忆技术缓冲层的实际厚度和目标厚度、金属硅化物阻挡层和应力记忆技术缓冲层的实际总厚度和目标总厚度,以及在湿法刻蚀后应力记忆技术缓冲层的目标剩余厚度根据金属硅化物阻挡层和应力记忆技术缓冲层的目标总厚度以及目标剩余厚度,确定刻蚀基础量;基于刻蚀基础量、应力记忆技术缓冲层的实际厚度和目标厚度、金属硅化物阻挡层和应力记忆技术缓冲层的实际总厚度和目标总厚度以及应力记忆技术缓冲层和金属硅化物阻挡层的刻蚀速率比,确定首次湿法刻蚀的刻蚀量,以便进行湿法刻蚀。本申请刻蚀量更准确,可改善缺陷问题。
天眼查资料显示,上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司,成立于2020年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1150000万人民币。通过天眼查大数据分析,上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司参与招投标项目77次,财产线索方面有商标信息14条,专利信息605条,此外企业还拥有行政许可211个。
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来源:市场资讯