华力集成申请半导体存储器及其制造方法专利，提高器件的可靠性
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2026-03-24 01:27:32
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国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体存储器及其制造方法”的专利，公开号CN121712024A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体存储器的存储单元的栅极结构包括：第一介质隧穿层、第二介质存储层、第三缓变阻挡层、高介电常数层和金属栅。第一介质隧穿层形成于半导体衬底的表面上。第二介质存储层形成于第一介质隧穿层的顶部表面上。第三缓变阻挡层形成于第二介质存储层的顶部表面上；第三缓变阻挡层包括主体层和顶部层，在主体层的氧浓度的基础上，顶部层的氧浓度在从顶部层的底部表面到顶部表面的方向上逐步增加。本发明还公开了一种半导体存储器的制造方法。本发明能提高器件的可靠性。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2076次，专利信息2743条，此外企业还拥有行政许可399个。
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来源：市场资讯
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