新紫光半导体申请半导体器件制造方法专利，保证半导体器件的制造良品率
创始人
2026-03-25 04:47:52
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国家知识产权局信息显示，成都新紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法和半导体器件”的专利，公开号CN121729059A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体器件的制造方法和半导体器件，本半导体器件的制造方法包括激光退火工艺；所述激光退火工艺包括：在半导体器件的表面形成反射光吸收层；将激光照射在所述反射光吸收层上，激光的光线穿过所述反射光吸收层对所述半导体器件加热退火，所述反射光吸收层用于吸收从所述半导体器件上反射的光；在对所述半导体器件加热退火之后，去除所述反射光吸收层。本制造方法通过设置的反射光吸收层，能够将激光的光线照射在半导体器件上产生的反射光进行吸收，能够防止反射光与入射光产生干涉，从而避免产生局部高温的现象，从而保证半导体器件的制造，保证良品率，不影响制造的半导体器件的性能。
天眼查资料显示，成都新紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都新紫光半导体科技有限公司专利信息77条。
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来源：市场资讯
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