格力电子申请MOS器件及其制备方法专利，通过两次离子注入形成调节区
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2026-03-27 19:10:49
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国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司申请一项名为“MOS器件及其制备方法”的专利，公开号CN121751670A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，提供了一种MOS器件及其制备方法，其中，MOS器件的制备方法包括：提供外延片，外延片包括衬底和位于衬底之上的外延层，外延层具有第一掺杂类型；在外延层内形成多个间隔设置的基区，基区具有第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；在各基区内形成具有第二掺杂类型的阱区；在各基区内形成具有第一掺杂类型的源区，源区位于阱区靠近基区的边缘的一侧并与基区的边缘具有间隔；在源区与基区的边缘的间隔中通过两次离子注入形成调节区，其中，第一次离子注入的离子具有第一掺杂类型，第二次离子注入的离子具有第二掺杂类型，且第一次离子注入的注入剂量大于第二次离子注入的注入剂量。
天眼查资料显示，珠海格力电子元器件有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电子元器件有限公司参与招投标项目31次，专利信息241条，此外企业还拥有行政许可108个。
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来源：市场资讯
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