格力电子申请MOS器件及其制备方法专利,通过两次离子注入形成调节区
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2026-03-27 19:10:49
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国家知识产权局信息显示,珠海格力电子元器件有限公司申请一项名为“MOS器件及其制备方法”的专利,公开号CN121751670A,申请日期为2025年12月。

专利摘要显示,本申请涉及半导体技术领域,提供了一种MOS器件及其制备方法,其中,MOS器件的制备方法包括:提供外延片,外延片包括衬底和位于衬底之上的外延层,外延层具有第一掺杂类型;在外延层内形成多个间隔设置的基区,基区具有第二掺杂类型,第二掺杂类型与第一掺杂类型相反;在各基区内形成具有第二掺杂类型的阱区;在各基区内形成具有第一掺杂类型的源区,源区位于阱区靠近基区的边缘的一侧并与基区的边缘具有间隔;在源区与基区的边缘的间隔中通过两次离子注入形成调节区,其中,第一次离子注入的离子具有第一掺杂类型,第二次离子注入的离子具有第二掺杂类型,且第一次离子注入的注入剂量大于第二次离子注入的注入剂量。

天眼查资料显示,珠海格力电子元器件有限公司,成立于2022年,位于珠海市,是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析,珠海格力电子元器件有限公司参与招投标项目31次,专利信息241条,此外企业还拥有行政许可108个。

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来源:市场资讯

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