敏芯半导体申请光电二极管及其制备方法专利，形成欧姆接触环位于扩散区内
创始人
2026-03-27 22:43:55
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国家知识产权局信息显示，武汉敏芯半导体股份有限公司申请一项名为“光电二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121751789A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请实施例公开了一种光电二极管及其制备方法，包括：在芯片基体的欧姆接触层上沉积阻挡膜，芯片基体包括衬底和依次堆叠于衬底上的N型接触层、本征吸收层、扩散窗口层和欧姆接触层；在阻挡膜上开设扩散窗口，令对应扩散窗口的部分欧姆接触层外露；对扩散窗口对应的扩散区进行Zn扩散，扩散区包括部分欧姆接触层、部分扩散窗口层和部分本征吸收层；去除阻挡膜，以使欧姆接触层外露；对欧姆接触层进行部分腐蚀处理，以形成欧姆接触环，欧姆接触环位于扩散区内。
天眼查资料显示，武汉敏芯半导体股份有限公司，成立于2017年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5974.0381万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉敏芯半导体股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息115条，此外企业还拥有行政许可8个。
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来源：市场资讯
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