森丸电子申请基于RDL布线的深沟槽电容结构制备方法专利，在保持高电容密度优势的同时降低等效串联电感_电池问答

森丸电子申请基于RDL布线的深沟槽电容结构制备方法专利，在保持高电容密度优势的同时降低等效串联电感

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2026-04-01 21:46:56

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国家知识产权局信息显示，苏州森丸电子技术有限公司申请一项名为“一种基于RDL布线的深沟槽电容结构的制备方法”的专利，公开号CN121772232A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于RDL布线的深沟槽电容结构的制备方法，包括如下步骤：S1、提供深沟槽电容结构，深沟槽电容结构包含至少两个不同电位的导电层，且导电层的上表面被第一层间介质层覆盖；S2、图形化第一层间介质层，以形成暴露出不同导电层的过孔；S3、在第一层间介质层上制备第一再分布层，第一再分布层包含两个彼此电隔离的电极层，该两个电极层分别连接至不同电位的导电层，该至少两个电极层的图形在平面上以叉指状或螺旋状交替排布，从而形成一个并联于所述深沟槽电容的平面电容结构。本发明在MIM电容基础上并联一个叉指电容，形成一个复合电容结构，在保持DTC高电容密度优势的同时降低等效串联电感，拓展了电容的工作带宽。

天眼查资料显示，苏州森丸电子技术有限公司，成立于2021年，位于苏州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1432.5352万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州森丸电子技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息40条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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