芯卓湖光申请半导体测试结构及电阻率测量方法专利，能够更准确地反映钨形核层的电学特性
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2026-04-02 19:24:05
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国家知识产权局信息显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司申请一项名为“半导体测试结构及电阻率测量方法”的专利，公开号CN121772697A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体测试结构及电阻率测量方法，属于半导体技术领域。半导体测试结构包括：半导体结构，包括：基底；垫层，位于基底的第一侧；钨形核层，位于垫层远离基底的一侧，钨形核层的电阻率低于垫层的电阻率；检测单元，与半导体结构连接，且配置为检测半导体测试结构的电阻率。根据本申请的半导体测试结构，通过将钨形核层的电阻率设置为低于垫层的电阻率，在测量半导体结构的整体电阻时，钨形核层与垫层相当于并联，低电阻的钨形核层将成为并联电阻中的主导部分，削弱垫层的电阻对整体测量结果的干扰，能够更准确地反映钨形核层的电学特性。
天眼查资料显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡芯卓湖光半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目7次，专利信息74条，此外企业还拥有行政许可21个。
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来源：市场资讯
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