盛美半导体申请半导体衬底处理装置及处理方法专利，避免回粘现象或再沉积现象的产生
国家知识产权局信息显示，盛美半导体设备（上海）股份有限公司;盛帷半导体设备（上海）有限公司申请一项名为“半导体衬底处理装置及处理方法”的专利，公开号CN121772639A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体衬底处理装置及处理方法，涉及半导体制造设备领域，半导体衬底处理装置包括：处理槽，用于容纳刻蚀溶液；保持机构，用于保持半导体衬底并使半导体衬底浸入所述刻蚀溶液中；鼓泡装置，用于向所述处理槽中供给气体；控制器，配置为控制鼓泡装置向处理槽中提供气体，以在刻蚀溶液中间歇性地产生多组气泡，其中，相邻的两组气泡之间具有间歇时长，鼓泡装置在间歇时长内不产生气泡，其中，间歇时长的长短被设置为使得所述刻蚀溶液不会倒灌至所述鼓泡装置。通过间歇性地产生多组气泡，不但可以提高刻蚀的效率，而且还能够降低半导体衬底图形结构内的生成物浓度，避免回粘现象或再沉积现象的产生，有利于提高刻蚀的均一性。
天眼查资料显示，盛美半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2005年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本48016.4789万人民币。通过天眼查大数据分析，盛美半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目175次，财产线索方面有商标信息29条，专利信息694条，此外企业还拥有行政许可31个。
盛帷半导体设备（上海）有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本162234.85万人民币。通过天眼查大数据分析，盛帷半导体设备（上海）有限公司参与招投标项目7次，专利信息58条，此外企业还拥有行政许可91个。
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来源：市场资讯