重庆芯联微电子申请半导体结构制作方法专利，避免两个子层之间的交界处发生断裂或存在裂纹
创始人
2026-04-04 23:03:17
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国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“半导体结构的制作方法”的专利，公开号CN121793746A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体结构的制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过在钝化保护层中的两个子层之间增加一层黏附缓冲层，以利用黏附缓冲层的表层所包含的化学键及悬垂键与两个子层的表层所包含的化学键及悬垂键发生反应的方式，增强钝化保护层中两个子层之间的粘附力，避免两个子层之间的交界处发生断裂或存在裂纹。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目933次，专利信息283条，此外企业还拥有行政许可12个。
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来源：市场资讯
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