美浦森半导体取得沟槽MOS刻蚀深度监测装置及方法专利
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2026-04-04 23:06:01
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国家知识产权局信息显示，深圳市美浦森半导体有限公司取得一项名为“一种沟槽MOS的刻蚀深度的监测装置及方法”的专利，授权公告号CN119108295B，申请日期为2024年8月。
天眼查资料显示，深圳市美浦森半导体有限公司，成立于2014年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市美浦森半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息84条，此外企业还拥有行政许可22个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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