半导体元件工业申请半导体器件等相关专利，增加沟槽电容器的电容
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2025-07-07 20:39:40
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金融界2025年7月7日消息，国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“半导体器件、光学传感器、制造光学传感器的像素电路的方法”的专利，公开号CN120264888A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，本公开描述了半导体器件、光学传感器、制造光学传感器的像素电路的方法。每个像素电路可包括微透镜、邻近该微透镜设置的滤色器和邻近该滤色器、与该微透镜相对地设置的外延衬底层。可以在该外延衬底层中形成隔离沟槽以提供用于像素电路的沟槽电容器，并且该隔离沟槽具有其中形成有侧壁凹部的侧壁，该侧壁凹部增加了表面积，并且因此增加了该沟槽电容器的电容。
来源：金融界
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