江苏首芯半导体申请半导体结构的制备方法及沉积设备专利，至少可以改善膜层的良率
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2026-04-10 22:08:32
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国家知识产权局信息显示，江苏首芯半导体科技有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及沉积设备”的专利，公开号CN121843435A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体制造领域，提供一种半导体结构的制备方法及沉积设备，至少可以改善膜层的良率以及节省工作时间。制备方法包括：对基底进行第一沉积步骤，第一沉积步骤包括通入第一气体以及第二气体，并检测等离子体负载阻抗虚部的第一变化量；若第一变化量到达第一数值，进行第一清洁处理；对基底进行第二沉积步骤，第二沉积步骤包括通入第三气体以及第四气体，并检测等离子体负载阻抗虚部的第二变化量；若第二变化量到达第二数值，进行第二清洁处理；对基底进行刻蚀步骤，检测等离子体负载阻抗虚部的第三变化量；若第三变化量到达第三数值，进行第三清洁处理；重复第二沉积步骤以及刻蚀步骤，直至凹槽内填充第一膜层以及第二膜层。
天眼查资料显示，江苏首芯半导体科技有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1433.9071万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏首芯半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息33条，此外企业还拥有行政许可22个。
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