无锡亿思半导体申请存储器的故障确定方法和MRAM专利，解决存储器读0失败时异常参考位元定位复杂的问题
创始人
2025-07-08 15:43:29
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金融界2025年7月8日消息，国家知识产权局信息显示，无锡亿思半导体有限公司申请一项名为“存储器的故障确定方法和MRAM”的专利，公开号CN120279969A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请提供了一种存储器的故障确定方法和MRAM，该方法包括：分别将第一列组和第二列组中参考位元写为低阻态和高阻态，开启同一行的所有位元，对存储位元写0，读放大器的输出电压，得到第一读数；分别将第一列组和第二列组中参考位元写为高阻态和低阻态，开启同一行的所有位元，对存储位元写0，读放大器的输出电压，得到第二读数；有异常读数时，确定该行存在异常参考位元；当所有的参考位元均开启时，至少控制部分的参考列对应的冗余开关管闭合，将冗余MTJ接入参考列，读放大器的输出电压，得到第三读数，根据第三读数与预定范围，确定异常参考位元所在的参考列。
天眼查资料显示，无锡亿思半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡亿思半导体有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息3条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界
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