京东方华灿光电申请发光二极管芯片及其制备方法专利，能够提高发光二极管芯片的键合质量
创始人
2026-06-19 05:58:52
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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“发光二极管芯片及其制备方法”的专利，公开号CN122206031A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体制备技术领域。该发光二极管芯片的制备方法包括：制备外延层；获取外延层的一面上的杂质颗粒的厚度；基于杂质颗粒的厚度，在外延层的一面制备光刻胶层，使得光刻胶层覆盖杂质颗粒；进行刻蚀，且将光刻胶层和杂质颗粒的刻蚀选择比大于1；监测光刻胶层的剩余厚度，当光刻胶层的剩余厚度达到厚度阈值时停止刻蚀；去除剩余的光刻胶层。本公开能够提高发光二极管芯片的键合质量。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目44次，专利信息1073条，此外企业还拥有行政许可44个。
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来源：市场资讯
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