东微半导体申请半导体器件制造方法专利，本发明属于半导体器件技术领域
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2025-07-09 00:38:17
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金融界2025年7月8日消息，国家知识产权局信息显示，苏州东微半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN120282464A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在n型半导体层上形成第一绝缘层，在n型半导体层内形成第一沟槽；在第一沟槽内形成第二绝缘层；各向同性刻蚀第一绝缘层以减小其宽度；在n型半导体层内形成第二沟槽；在n型半导体层内形成n型电荷存储区；在第二沟槽内形成第三绝缘层；形成第一导电层并回刻，在第一沟槽内形成屏蔽栅极，在第二沟槽内形成栅极；进行倾斜的离子注入，在n型半导体层内形成n型源区；在栅极和屏蔽栅极上方形成第二介质层，去除掉第一绝缘层，进行离子注入在n型半导体层内形p型体区。
天眼查资料显示，苏州东微半导体股份有限公司，成立于2008年，位于苏州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本12253.1446万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州东微半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目15次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息147条，此外企业还拥有行政许可9个。
来源：金融界
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