英思特半导体申请干湿协同的超导薄膜晶圆刻蚀残影抑制方法及系统专利，有效保留超导薄膜晶圆的本征超导性能_电池问答

英思特半导体申请干湿协同的超导薄膜晶圆刻蚀残影抑制方法及系统专利，有效保留超导薄膜晶圆的本征超导性能

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2026-07-11 13:45:45

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国家知识产权局信息显示，江苏英思特半导体科技有限公司申请一项名为“一种干湿协同的超导薄膜晶圆刻蚀残影抑制方法及系统”的专利，公开号CN122373686A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明涉及一种干湿协同的超导薄膜晶圆刻蚀残影抑制方法及系统，具体步骤包括，S1、获取晶圆光刻返工信息：读取晶圆的的光刻返工记录，获取当前晶圆是否经历过光刻返工的标识信息以及返工次数；S2、旋转式湿法源头阻断处理；S3、干法刻蚀前的光学检测与干燥处理；S4、干法自适应刻蚀与循环清洗；S5、湿法净化处理：刻蚀完成后，晶圆浸入缓冲氧化物刻蚀槽单元内进行清洗，最后进入干燥槽单元进行干燥。本发明具有如下优点：在保证刻蚀效果的前提下，最大限度减少离子对超导薄膜的溅射损伤，避免氧空位缺陷与晶格畸变的产生，有效保留了超导薄膜晶圆的本征超导性能。

天眼查资料显示，江苏英思特半导体科技有限公司，成立于2019年，位于南通市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏英思特半导体科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目18次，专利信息22条，此外企业还拥有行政许可5个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资信息协同薄膜处理英思特导体专利超导薄膜干湿残影晶圆

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