屹唐半导体申请半导体工艺设备及其盖板专利，能够对基于工艺气体生成的等离子体中的自由基进行加速_电池问答

屹唐半导体申请半导体工艺设备及其盖板专利，能够对基于工艺气体生成的等离子体中的自由基进行加速

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2026-07-13 14:25:38

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国家知识产权局信息显示，北京屹唐半导体科技股份有限公司;屹唐半导体科技（北京）有限责任公司申请一项名为“半导体工艺设备及其盖板”的专利，公开号CN122370264A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体工艺设备及其盖板，涉及半导体设备技术领域。盖板设置有第一气体通道，第一气体通道用于将工艺气导入等离子体生成空间；其中，第一气体通道包括第一气体入口以及第一气体出口，第一气体入口位于盖板背离等离子体生成空间的一侧，第一气体出口位于盖板朝向等离子体生成空间的一侧；盖板还设置有第二气体通道，第二气体通道用于将加速气体导入等离子体生成空间，使得外围加速气体能够对基于工艺气体生成的等离子体中的自由基进行加速；其中，第二气体通道包括第二气体入口以及第二气体出口，第二气体入口位于盖板背离等离子体生成空间的一侧，第二气体出口位于盖板朝向等离子体生成空间的一侧。

天眼查资料显示，北京屹唐半导体科技股份有限公司，成立于2015年，位于北京市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本295556万人民币。通过天眼查大数据分析，北京屹唐半导体科技股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目182次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息267条，此外企业还拥有行政许可95个。

屹唐半导体科技（北京）有限责任公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，屹唐半导体科技（北京）有限责任公司专利信息13条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业气体投资半导体空间盖板等离子体工艺专利北京天眼

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