扬杰科技取得具有高速开关的沟槽MOSFET专利，改善反向恢复性能
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2026-07-21 17:29:20
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国家知识产权局信息显示，扬杰科技（无锡）有限公司取得一项名为“一种具有高速开关的沟槽MOSFET”的专利，授权公告号CN224538636U，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，一种具有高速开关的沟槽MOSFET。涉及半导体技术领域。本实用新型沟槽MOSFET通过在相邻栅极沟槽之间增设源极沟槽及配套结构，构建了新的电流通路。在反向续流时，传统沟槽MOSFET的电流需全部经体二极管流通，而该结构中，源极沟槽内的源极氧化层较薄，且源极与源区短接形成内建MOS通道。当器件处于反向工作状态时，部分续流电流可通过此内建MOS通道流动，不再完全依赖体二极管，若源极氧化层厚度适当减小，甚至可以满足全部续流电流通过MOS通道流动，完全不依赖体二极管，从而改变了电流的流通路径和分布情况。这种对电流通道的优化，能够有效减少载流子的存储和复合时间，进而改善反向恢复性能。
天眼查资料显示，扬杰科技（无锡）有限公司，成立于2020年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，扬杰科技（无锡）有限公司专利信息21条，此外企业还拥有行政许可5个。
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