格科半导体申请低缺陷单晶薄膜制备方法专利，提高薄膜质量
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2026-08-28 21:32:20
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国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种低缺陷的单晶薄膜的制备方法”的专利，公开号CN122649079A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本发明提供了一种低缺陷的单晶薄膜的制备方法，至少包含以下步骤：步骤S1，提供一衬底，将衬底置于反应腔内；反应腔内的压力小于20tor，衬底的工艺温度低于900℃；步骤S2，向反应腔内通入第一沉积气体，在衬底表面形成N型单晶薄膜；第一沉积气体包含原料气体和N型掺杂气体；步骤S3，向反应腔内切换通入第二沉积气体，在N型单晶薄膜表面形成P型单晶薄膜；第二沉积气体包含原料气体和P型掺杂气体；原料气体为硅源前驱体或锗源前驱体。采用本发明的制备方法可以降低单晶薄膜的缺陷，提高薄膜质量。
天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本700000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息183条，此外企业还拥有行政许可112个。
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