格科半导体申请低缺陷单晶薄膜制备方法专利,提高薄膜质量
创始人
2026-08-28 21:32:20
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国家知识产权局信息显示,格科半导体(上海)有限公司申请一项名为“一种低缺陷的单晶薄膜的制备方法”的专利,公开号CN122649079A,申请日期为2025年2月。

专利摘要显示,本发明提供了一种低缺陷的单晶薄膜的制备方法,至少包含以下步骤:步骤S1,提供一衬底,将衬底置于反应腔内;反应腔内的压力小于20tor,衬底的工艺温度低于900℃;步骤S2,向反应腔内通入第一沉积气体,在衬底表面形成N型单晶薄膜;第一沉积气体包含原料气体和N型掺杂气体;步骤S3,向反应腔内切换通入第二沉积气体,在N型单晶薄膜表面形成P型单晶薄膜;第二沉积气体包含原料气体和P型掺杂气体;原料气体为硅源前驱体或锗源前驱体。采用本发明的制备方法可以降低单晶薄膜的缺陷,提高薄膜质量。

天眼查资料显示,格科半导体(上海)有限公司,成立于2020年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本700000万人民币。通过天眼查大数据分析,格科半导体(上海)有限公司参与招投标项目21次,专利信息183条,此外企业还拥有行政许可112个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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