SK海力士考虑英特尔代工HBM4E基底芯片
创始人
2026-08-31 13:25:32
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8月31日,据报道,SK海力士正研究与英特尔合作生产下一代高带宽内存(HBM)关键组件基底芯片,最早可能从第七代HBM产品HBM4E开始引入英特尔,与台积电形成多供应商体系。SK海力士此前在HBM3E之前均自行生产基底芯片,但随着基底芯片的逻辑功能和性能要求提高,自HBM4起转由台积电代工,目前量产中的HBM4基底芯片采用台积电12纳米级工艺。

业内人士称,台积电供应的HBM4基底芯片成本约为SK海力士自身10纳米级第五代1b工艺生产的核心芯片的3至4倍。随着HBM4E升级,成本压力预计进一步增加,而HBM产品大量采用长期供应协议,厂商难以迅速将代工成本转嫁给客户。若英特尔加入供应链,SK海力士有望降低成本并提升供应稳定性,同时减少对单一代工厂的依赖。此外,双方合作未来也可能延伸至先进封装领域,SK海力士目前正评估台积电CoWoS-S、CoWoS-L及英特尔EMIB等方案。

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