豪威科技申请图像传感器及其制造方法专利，通过蚀刻工艺形成邻近光敏区域的深沟渠隔离结构
创始人
2026-09-04 02:25:34
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国家知识产权局信息显示，豪威科技股份有限公司申请一项名为“图像传感器及其制造方法”的专利，公开号CN122318345A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种图像传感器及其制造方法。图像传感器的制造方法包括以下步骤。提供半导体衬底，半导体衬底具有正面表面和与正面表面相对的背面表面。在半导体衬底中形成光敏区域。形成邻近光敏区域的浮置扩散区域，用于从光敏区域接收图像电荷。在半导体衬底的正面表面上形成介电层。在介电层中形成栅极电极，栅极电极电耦合至光敏区域和浮置扩散区域。通过蚀刻工艺形成邻近光敏区域的深沟渠隔离结构。深沟渠隔离结构从半导体衬底的正面表面上的介电层朝向背面表面延伸。深沟渠隔离结构具有与介电层的顶表面齐平的上表面。
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