宸微设备申请半导体结构及其形成方法专利，能够显著减少光刻工艺的轮数
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2026-09-08 10:57:24
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国家知识产权局信息显示，宸微设备科技（苏州）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN122719437A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及其形成方法，包括：采用多轮刻蚀工艺形成基础通孔阵列，所述基础通孔阵列包含多种深度的通孔；其中，每轮刻蚀工艺包括：对光刻胶层的顶部和侧壁进行刻蚀，去除成排和/或成列硬掩模开口内的光刻胶；自暴露出的硬掩模开口，对所述叠层结构中的半导体层和氧化物层刻蚀指定深度；对所述基础通孔阵列进行一轮或多轮补充光刻‑刻蚀工艺，每轮补充光刻‑刻蚀工艺包括：形成图案化的补充光刻胶层，所述补充光刻胶层暴露出部分或全部未达到预期深度的通孔；自暴露出的通孔，对所述叠层结构中的半导体层和氧化物层进行补充刻蚀。本公开能够显著减少光刻工艺的轮数，尤其适用于具有大量叠层需要通孔连接的应用场景。
天眼查资料显示，宸微设备科技（苏州）有限公司，成立于2022年，位于苏州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本3157.8947万人民币。通过天眼查大数据分析，宸微设备科技（苏州）有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息122条，此外企业还拥有行政许可4个。
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来源：市场资讯
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