华虹半导体申请金属格栅的硬掩模层刻蚀方法专利，解决金属格栅光刻时晶片边缘SOC层倒胶问题
金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“金属格栅的硬掩模层的刻蚀方法”的专利，公开号CN120302738A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请公开了一种金属格栅的硬掩模层的刻蚀方法，包括：在金属层上形成硬掩模层，硬掩模层从下而上依次包括第一绝缘层、第二绝缘层、氮化钛层和第三绝缘层，金属层形成于晶片的背面，晶片用于形成CIS，金属层用于形成CIS的金属格栅；在硬掩模层上形成BARC层；通过光刻工艺进行第一次刻蚀，在第三绝缘层和氮化钛层中形成第一凹槽，第一凹槽底部的第二绝缘层暴露；进行第二次刻蚀，去除第一凹槽下方的第二绝缘层和第一绝缘层，在硬掩模层中形成第二凹槽，第二凹槽底部的金属层暴露，第二凹槽之间剩余的硬掩模层的深度和宽度的比值大于10。本申请解决了相关技术中在金属格栅的光刻过程中在晶片边缘的SOC层容易产生倒胶的现象。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2926次，专利信息1710条，此外企业还拥有行政许可117个。
华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目373次，专利信息38条，此外企业还拥有行政许可226个。
来源：金融界
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