创芯集成申请半导体结构及其形成方法专利，提高反向恢复特性
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2025-07-15 09:38:44
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金融界2025年7月15日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120321985A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：衬底为VDMOS漏区；在衬底表面形成外延层，外延层包括相邻的第一区、第二区和第三区；在第二区内形成第一体区，第一体区还延伸至部分第三区；在部分第三区内形成第一Diode沟道区，以第一体区和第一Diode沟道区之外的第三区为第一Diode源区；在部分第三区表面形成第一Diode栅极结构；在第一区内或第一区表面形成VDMOS栅极结构；在第三区内，且在第一Diode栅极结构一侧的第一体区内形成第一Diode漏区；在VDMOS栅极结构一侧的第一体区内形成第一VDMOS源区；在第一体区内形成第一体引出区，使沟道二极管与VDMOS器件工艺兼容，提高反向恢复特性。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目250次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息329条，此外企业还拥有行政许可6个。
来源：金融界
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