深圳黑晶光电取得基于双空穴传输层的晶硅太阳能电池专利，提升器件光电转化效率
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2025-07-15 18:38:34
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金融界2025年7月15日消息，国家知识产权局信息显示，深圳黑晶光电技术有限公司取得一项名为“一种基于双空穴传输层的晶硅太阳能电池”的专利，授权公告号CN223110438U，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种基于双空穴传输层的晶硅太阳能电池，包括有从下至上依次设置的第一金属电极层、第一透明电极层、N型掺杂多晶硅电子传输层、基底钝化层、硅衬底、基底表面钝化层、第一空穴传输层、第二空穴传输层、第二透明电极层、第二金属电极层、减反射层；所述第一空穴传输层为自组装分子层；所述第二空穴传输层为氧化钇薄膜；所述第二空穴传输层的厚度小于5nm。如此，提供一种基于双空穴传输层的晶硅太阳能电池；采用自组装分子作为第一空穴传输层，采用氧化钇作为第二空穴传输层，实现该空穴传输层与其上下膜层之间的高效能级匹配，提升器件光电转化效率。
天眼查资料显示，深圳黑晶光电技术有限公司，成立于2019年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本3699.51万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳黑晶光电技术有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息117条，此外企业还拥有行政许可18个。
来源：金融界
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