平伟实业申请一种功率MOSFET器件及其制作方法专利，在不减小沟道密度情况下可增大源漏电容
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2025-07-16 18:09:55
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金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，重庆平伟实业股份有限公司申请一项名为“一种功率MOSFET器件及其制作方法”的专利，公开号CN120321998A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请提供一种功率MOSFET器件及其制作方法，该器件包括：漏极金属层；外延结构，其设置于所述漏极金属层上；至少两个栅极沟槽，其设置于所述外延结构背离所述漏极金属层的一侧；所述栅极沟槽内设置有栅极多晶硅；至少一个源极沟槽，其设置于两个相邻的所述栅极沟槽之间，所述源极沟槽内设置有源极多晶硅；源极金属层，其与所述源极多晶硅电性连接。本申请在不减小沟道密度情况下，可增大源漏电容，且通过调整源极沟槽中源极多晶硅的电阻，可优化器件的EMI特性。
天眼查资料显示，重庆平伟实业股份有限公司，成立于2007年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本18552万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆平伟实业股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目49次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息214条，此外企业还拥有行政许可49个。
来源：金融界
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