平伟实业申请一种功率MOSFET器件及其制作方法专利，在不减小沟道密度情况下可增大源漏电容
创始人
2025-07-16 18:09:55
0次
金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，重庆平伟实业股份有限公司申请一项名为“一种功率MOSFET器件及其制作方法”的专利，公开号CN120321998A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请提供一种功率MOSFET器件及其制作方法，该器件包括：漏极金属层；外延结构，其设置于所述漏极金属层上；至少两个栅极沟槽，其设置于所述外延结构背离所述漏极金属层的一侧；所述栅极沟槽内设置有栅极多晶硅；至少一个源极沟槽，其设置于两个相邻的所述栅极沟槽之间，所述源极沟槽内设置有源极多晶硅；源极金属层，其与所述源极多晶硅电性连接。本申请在不减小沟道密度情况下，可增大源漏电容，且通过调整源极沟槽中源极多晶硅的电阻，可优化器件的EMI特性。
天眼查资料显示，重庆平伟实业股份有限公司，成立于2007年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本18552万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆平伟实业股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目49次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息214条，此外企业还拥有行政许可49个。
来源：金融界
相关内容
热门资讯
铜陵安博申请PCB预防二钻孔偏...
国家知识产权局信息显示，铜陵安博电路板有限公司申请一项名为“一种PCB预防二钻孔偏位的控制方法”的专...
豪声电子（920701）披露2...
浙江豪声电子科技股份有限公司于2026年3月4日举办投资者关系活动，以现场参观结合特定对象调研的形式...
中山德华芯片技术申请柔性砷化镓...
国家知识产权局信息显示，中山德华芯片技术有限公司申请一项名为“一种柔性砷化镓太阳电池组件及其制备方法...
民爆光电：公司防爆灯有销往中东...
人民财讯3月4日电，民爆光电3月4日在互动平台表示，公司防爆灯有销往中东地区（不包括伊朗），但营收占...
上海交通大学申请自同步电压源双...
国家知识产权局信息显示，上海交通大学;上海中绿新能源科技有限公司申请一项名为“自同步电压源双馈风电机...
全球变局中的文化芯片：用AI守...
当美国经济总量占比从40%滑落至26%，全球南方国家经济总量却突破40%的临界点时（来源：傅小强，2...
昆山国显光电申请显示面板及其制...
国家知识产权局信息显示，昆山国显光电有限公司申请一项名为“显示面板及其制备方法和显示装置”的专利，公...
争妍微电子申请一种碳化硅MOS...
国家知识产权局信息显示，深圳争妍微电子有限公司申请一项名为“一种碳化硅MOS栅极驱动电路”的专利，公...
翱捷科技：公司第一颗5G智能S...
有投资者在互动平台向翱捷科技提问：公司第一代5G手机通信芯片研发进展到什么阶段？预计什么时候开始规模...
存储芯片股，强势反弹
【导读】电网设备板块强势拉升，存储芯片、农业逆市上涨；油气板块回调 中国基金报记者 张舟 大家好！今...