意法半导体申请半导体装置及其制造方法专利，提供一种半导体装置
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2025-07-16 19:10:12
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金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN120321981A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体装置及其制造方法。依据本公开的各种实施例，提供了一种半导体装置。在一些实施例中，该半导体装置包括由半导体材料制成的基板、放置在基板上的栅极结构、放置在基板上和栅极结构的一部分上的钝化层、放置在钝化层上的密封氧化物层、放置在密封氧化物层的一部分上的第一场板、放置在第一场板上和密封氧化物层上的电介质层、放置在该层的一部分上的第二场板、以及源极接触金属化和漏极接触金属化。密封氧化物层比钝化层厚。
来源：金融界
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