电池问答
华虹半导体申请改善半导体器件槽状接触孔刻蚀硅草缺陷专利，显著提升工艺稳定性和产品良率
国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“改善半导体器件槽状接触孔刻蚀工艺中硅草缺陷的方法”的专利，公开号CN121358193A，申...
100%关税！美国，突发威胁！事关芯片，韩国紧急回应！
美国在半导体领域动作不断。 据最新消息，美国商务部长卢特尼克威胁称，如果韩国存储芯片制造商不在美国增加生产，就可能被征收高达100%的关税。据悉，韩国存储芯片巨...
荣测捷取得PCB板自动测试设备专利，减小了人力成本
国家知识产权局信息显示，深圳市荣测捷科技有限公司取得一项名为“一种PCB板自动测试设备”的专利，授权公告号CN223800989U，申请日期为2024年1月。 ...
南昌春勤精密取得带吸附功能治具底膜结构专利，避免机械固定对电路板贴片造成损伤
国家知识产权局信息显示，南昌春勤精密技术有限公司取得一项名为“一种带吸附功能的治具底膜结构”的专利，授权公告号CN223809980U，申请日期为2025年1月...
山东亿福金业取得电子标签自动检测机专利，可以将不合格的物料筛选并快速剔除
国家知识产权局信息显示，山东亿福金业珠宝首饰有限公司取得一项名为“一种电子标签自动检测机”的专利，授权公告号CN223801009U，申请日期为2025年1月。...
华为申请电路板组件及制作方法专利，降低产品发生电迁移现象而导致短路的风险
国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“一种电路板组件及制作方法、电子设备”的专利，公开号CN121357800A，申请日期为2024年7月。 专...
浙江鑫业电子取得用于柴油机的碳氢喷射装置专利，减少维修成本和时间
国家知识产权局信息显示，浙江鑫业电子科技股份有限公司取得一项名为“一种用于柴油机的碳氢喷射装置”的专利，授权公告号CN223806199U，申请日期为2025年...
海油工程申请5片式水下电子单元专利，减少板卡占用空间满足小型化需求
国家知识产权局信息显示，海洋石油工程股份有限公司申请一项名为“一种5片式水下电子单元”的专利，公开号CN121348834A，申请日期为2025年9月。 专利摘...
云鸿动力取得电动蝶阀远控电路专利，实现远程控制电动蝶阀的开启和关闭
国家知识产权局信息显示，盐城云鸿动力科技有限公司取得一项名为“一种电动蝶阀的远控电路”的专利，授权公告号CN223808657U，申请日期为2025年3月。 专...
千欣电子取得晶圆测试用三温磁场专利，具有测试结果精确的优点
国家知识产权局信息显示，绍兴千欣电子技术有限公司取得一项名为“一种晶圆测试用三温磁场”的专利，授权公告号CN223808530U，申请日期为2025年2月。 专...
青松光电申请屏幕控制方法专利，提高对大屏幕操作和控制的便捷性
国家知识产权局信息显示，西安青松光电技术有限公司申请一项名为“屏幕控制方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质”的专利，公开号CN121349567A，申请日期...
易泰勒电子取得环境光供电电子货架标签系统专利，提升电子货架标签的环境适应性和可持续性
国家知识产权局信息显示，苏州易泰勒电子科技有限公司取得一项名为“一种环境光供电的电子货架标签系统”的专利，授权公告号CN223808748U，申请日期为2024...
翔升智能制造申请显卡电源管理方法专利，实现持续优化电源管理性能
国家知识产权局信息显示，深圳市翔升智能制造有限公司申请一项名为“显卡的电源管理方法、装置、设备及存储介质”的专利，公开号CN121326128A，申请日期为20...
铠侠申请半导体存储装置专利，能够实现第1连接部分与第1接点的上端电连接
国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置”的专利，公开号CN121357900A，申请日期为2025年2月。 专利摘要显示，实施方式...
泰华电子取得PCB板与电源壳内部排线连接结构专利，保障PCB板与连接排线之间长期稳定的机械连接
国家知识产权局信息显示，深圳市泰华电子有限公司取得一项名为“一种用于PCB板与电源壳内部排线连接结构”的专利，授权公告号CN223809357U，申请日期为20...
三星2025年OPI绩效曝光：半导体与MX员工可得约一半年薪
IT之家 1 月 17 日消息，参考韩媒《ChosunBiz》昨日报道，三星电子已最终确认了各分支的 2025 年 OPI 绩效激励奖金方案，其中 DX 部 M...
越南首座半导体前端晶圆厂动工
IT之家 1 月 17 日消息，越南军队工业电信集团 Viettel 昨日宣布，该国首座半导体前端晶圆厂正式于河内和乐高科技园区动工。 这座占地 27 公顷的晶...
星耀半导体申请晶圆缺陷检测与调控专利，能够准确检测晶圆缺陷
国家知识产权局信息显示，深圳市星耀半导体有限公司申请一项名为“一种晶圆缺陷检测与调控的方法、系统、介质及产品”的专利，公开号CN121329932A，申请日期为...
德鑫智创科技申请自支撑无定形钌修饰镍铁氢氧化物大电流析氢电极专利，实现在工业级电流密度下的长期稳定运行
国家知识产权局信息显示，湖南德鑫智创科技服务有限公司申请一项名为“一种自支撑无定形钌修饰镍铁氢氧化物大电流析氢电极及其制备方法”的专利，公开号CN1213210...