电池问答
隆扬电子获得实用新型专利授权：“一种EMI电磁屏蔽材料谐波测试系统”
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示隆扬电子（301389）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种EMI电磁屏蔽材料谐波测试系统”，专利申请号为CN202...
迈翔电子取得多层预压磁芯热压一体电感专利，提升了电感器的综合性能
国家知识产权局信息显示，惠州市迈翔电子有限公司取得一项名为“一种多层预压磁芯热压一体电感”的专利，授权公告号CN224318280U，申请日期为2025年7月。...
旺宏电子申请存储器装置的周边电路系统及存储器装置专利，可优化存储器阵列的电路布局
国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器装置的周边电路系统及存储器装置”的专利，公开号CN122201359A，申请日期为2024年12...
宏发电力申请导磁件及继电器专利，减轻继电器重量满足轻量化需求
国家知识产权局信息显示，厦门宏发电力电器有限公司申请一项名为“导磁件及继电器”的专利，公开号CN122202118A，申请日期为2026年5月。 专利摘要显示，...
京东方华灿光电申请发光二极管芯片及其制备方法专利，能够提高发光二极管芯片的键合质量
国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“发光二极管芯片及其制备方法”的专利，公开号CN122206031A，申请日期为2026年5月...
河南台冠电子取得便于二极管加工用切角装置专利，便于对二极管进行输送
国家知识产权局信息显示，河南台冠电子科技股份有限公司取得一项名为“一种便于二极管加工用切角装置”的专利，授权公告号CN224360456U，申请日期为2025年...
紫亦芯申请基于aEASI技术的电源芯片封装结构专利，显著提升散热效率与功率密度
国家知识产权局信息显示，北京紫亦芯集成电路有限公司申请一项名为“一种基于aEASI技术的电源芯片封装结构及方法”的专利，公开号CN122121684A，申请日期...
和芯电子申请基于温度补偿的MOS管阈值电压在线监测与校准系统专利，显著提升功率模组在非均匀热场下的可靠性与一致性
国家知识产权局信息显示，深圳市和芯电子有限公司申请一项名为“基于温度补偿的MOS管阈值电压在线监测与校准系统”的专利，公开号CN122109769A，申请日期为...
华北电力科学研究院申请低压配电网对地电压计算专利，提升对地电压的确定效率
国家知识产权局信息显示，华北电力科学研究院有限责任公司和国家电网有限公司申请一项名为“一种低压配电网的对地电压计算方法及装置”的专利，公开号CN12211866...
DBCO-TAT，DBCO-细胞穿膜肽富含精氨酸，强正电荷
DBCO-TAT是由二苯并环辛炔（DBCO）与TAT多肽通过共价连接形成的细胞穿膜肽-点击化学缀合物。 简要信息 英文名：DBCO-TAT 中文名：DBCO-细...
斯达半导体取得绝缘栅双极型晶体管断路器专利，提高设备运行的安全性和可靠性
国家知识产权局信息显示，斯达半导体股份有限公司取得一项名为“一种绝缘栅双极型晶体管断路器”的专利，授权公告号CN224319342U，申请日期为2025年5月。...
东莞新科申请半导体晶圆分离方法专利，有效解决半导体晶圆分离过程中出现的崩边和碎裂问题
国家知识产权局信息显示，东莞新科技术研究开发有限公司申请一项名为“一种半导体晶圆的分离方法”的专利，公开号CN122121564A，申请日期为2024年11月。...
黄仁勋：RTX Spark芯片面向智能体AI时代研发
英伟达推出RTX Spark超级芯片进军PC市场。黄仁勋在台北GTC大会上表示，RTX Spark不只是新一代AIPC硬件，更是面向智能体AI时代设计的全新计算...
埋地管道电位检测用极化试片
埋地管道电位检测用极化试片 河南铧云-杨素素 埋地钢质管道普遍采用阴极保护技术抑制电化学腐蚀，阴极保护效果直接取决于管道表面的保护电位是否处于合格区间。在实际检...
睿鑫伟申请残余电荷自动释放的静电卡盘专利，能提供晶圆残余电荷释放的路径
国家知识产权局信息显示，睿鑫伟（南京）半导体科技有限公司申请一项名为“一种残余电荷自动释放的静电卡盘”的专利，公开号CN122121619A，申请日期为2026...
半导体设备ETF招商（561980）高开涨近2%！芯片产业迎情绪修复，寒武纪、中微公司、北方华创拉升
6月2日，双创板块高开震荡，芯片产业链修复走强。半导体设备ETF指数（561980）早盘高开涨近2%、截至发文涨1.52%，寒武纪涨超5%，江丰电子涨超10%，...
芯恩取得半导体分立器件测试方法专利
国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司取得一项名为“一种半导体分立器件及其测试方法”的专利，授权公告号CN116741651B，申请日期为2022...