有研硅获得发明专利授权：“一种半导体硅抛光片的去蜡清洗工艺”_电池知识

有研硅获得发明专利授权：“一种半导体硅抛光片的去蜡清洗工艺”

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2025-06-21 03:36:54

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示有研硅（688432）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体硅抛光片的去蜡清洗工艺”，专利申请号为CN202410032589.7，授权日为2025年6月20日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体硅抛光片的去蜡清洗工艺。该工艺包括以下步骤：(1)硅片在有蜡抛光完成后，在180秒内转移至稀释双氧水中浸泡2‑10分钟，然后将硅片从陶瓷板上取下时，使硅片始终保持在双氧水中或通过喷淋双氧水的方式保持表面湿润；(2)上一步骤完成后的60分钟内，使用2个SC1、2个双氧水和2个超纯水对硅片进行去蜡清洗，清洗流程为：SC1‑超纯水‑双氧水‑SC1‑超纯水‑双氧水，SC1清洗时间2‑10分钟，双氧水清洗时间0.5‑10分钟；(3)在预清洗前硅片转入双氧水中保存，同时控制在120分钟内对硅片进行预清洗，将硅片由湿变干，再进行最终清洗。本发明能够极大降低沾污和腐蚀对硅片表面的影响，进而获得超高洁净度表面的硅抛光片。

今年以来有研硅新获得专利授权1个，较去年同期减少了85.71%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了7828.07万元，同比减4.79%。

通过天眼查大数据分析，有研半导体硅材料股份公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目66次；财产线索方面有专利信息338条；此外企业还拥有行政许可73个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

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