金融界2025年7月23日消息,国家知识产权局信息显示,达尔科技股份有限公司申请一项名为“具有栅极-源极ESD二极管结构的功率MOSFET”的专利,公开号CN120358779A,申请日期为2024年03月。
专利摘要显示,本申请案涉及一种具有栅极‑源极ESD二极管结构的功率MOSFET。一种设备包含:漏极及源极,其位于外延层的相对侧上;多个栅极,其形成于所述外延层中;源极触点,其连接到所述源极;栅极触点,其连接到所述多个栅极;栅极‑源极静电放电ESD二极管,其连接于所述栅极触点与所述源极触点之间;及击穿电压增强及泄漏防护结构,其形成于所述栅极‑源极ESD二极管结构下方。
来源:金融界