美光科技申请用于竖直三维存储器的混合栅极电介质存取装置专利，提供用于竖直三维（3D）存储器的混合栅极电介质存取装置的系统、方法及设备
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2025-07-28 14:39:25
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金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“用于竖直三维存储器的混合栅极电介质存取装置”的专利，公开号CN120380854A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开提供用于竖直三维(3D)存储器的混合栅极电介质存取装置的系统、方法及设备。存储器单元具有第一水平定向存取装置，所述第一水平定向存取装置具有由第一沟道区分开的第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。所述第一存取装置由第一栅极可操作地控制。混合栅极电介质将所述栅极与所述沟道区分开，且水平定向存储节点耦合到所述存取装置的所述第二源极/漏极区。
来源：金融界
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