新存科技申请一种存储器及其形成方法专利，提高第一导电层所处平面的平整度
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2025-06-23 10:08:49
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金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“一种存储器及其形成方法”的专利，公开号CN120187035A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请提供了一种存储器及其形成方法，涉及半导体相关技术领域，其中存储器的形成方法包括提供第一存储结构、位于第一存储结构一侧的第一导电层以及隔离层。第一存储结构包括阵列排布的存储单元。隔离层位于相邻存储单元之间、相邻第一导电层之间以及第一导电层背离存储单元的一侧。对隔离层进行第一平坦化处理，直至露出第一导电层；此时，位于相邻第一导电层之间的隔离层上形成有第一凹陷。形成覆盖第一导电层和隔离层的缓冲层。对缓冲层进行第二平坦化处理，露出第一导电层，保留位于第一凹陷内的缓冲层。
天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目3次，专利信息125条。
来源：金融界
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