长江存储申请半导体结构及其制备方法等相关专利，缓解半导体结构的信号延迟现象
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2025-08-06 19:15:35
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金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统”的专利，公开号CN120434988A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统，涉及半导体技术领域，用于缓解半导体结构的信号延迟现象。半导体结构包括：半导体层、至少两个晶体管、第一隔离部和保护层。至少两个晶体管沿第一方向间隔排列；所述晶体管包括栅极，所述栅极位于所述半导体层上。第一隔离部，位于所述至少两个晶体管的相邻两个晶体管之间，且与所述相邻两个晶体管的栅极相接触。保护层，至少覆盖所述栅极的沿所述第一方向延伸的侧壁；其中，所述第一隔离部的介电常数小于所述保护层的介电常数。上述半导体结构用于实现数据的读取和写入操作。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1396次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
来源：金融界
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