长江存储申请半导体结构及其制备方法等相关专利,缓解半导体结构的信号延迟现象
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2025-08-06 19:15:35
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金融界2025年8月6日消息,国家知识产权局信息显示,长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统”的专利,公开号CN120434988A,申请日期为2024年02月。

专利摘要显示,本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统,涉及半导体技术领域,用于缓解半导体结构的信号延迟现象。半导体结构包括:半导体层、至少两个晶体管、第一隔离部和保护层。至少两个晶体管沿第一方向间隔排列;所述晶体管包括栅极,所述栅极位于所述半导体层上。第一隔离部,位于所述至少两个晶体管的相邻两个晶体管之间,且与所述相邻两个晶体管的栅极相接触。保护层,至少覆盖所述栅极的沿所述第一方向延伸的侧壁;其中,所述第一隔离部的介电常数小于所述保护层的介电常数。上述半导体结构用于实现数据的读取和写入操作。

天眼查资料显示,长江存储科技有限责任公司,成立于2016年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析,长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目1396次,财产线索方面有商标信息978条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可1005个。

来源:金融界

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