合肥晶合申请MOS器件及其制作方法专利，增大MOS器件的导通电流
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2025-08-16 18:14:49
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金融界2025年8月9日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“MOS器件及其制作方法”的专利，公开号CN120456581A，申请日期为2025年07月。
专利摘要显示，本发明公开了一种MOS器件及其制作方法，其中方法包括以下步骤：在MOS器件的硅衬底表面形成氧化硅层；在氧化硅层上依次沉积高介电常数的第一材料层和牺牲层，刻蚀牺牲层，形成牺牲栅极结构；在牺牲栅极结构上形成低介电常数的第二材料层并刻蚀，在牺牲栅极结构两侧形成偏移侧墙结构；刻蚀偏移侧墙结构两侧硅衬底上的第一材料层，并在硅衬底上形成低掺杂漏极区域；在偏移侧墙结构外侧形成一定厚度的第三材料层，该第三材料层为低介电常数材料层；形成源漏极高掺杂区域；刻蚀牺牲栅极结构及其下方的第一材料层，形成栅极区域凹槽，并在栅极区域凹槽内形成栅极；完成MOS器件的后续工艺。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1192条，此外企业还拥有行政许可21个。
来源：金融界
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