合肥晶合申请MOS器件及其制作方法专利，增大MOS器件的导通电流
创始人
2025-08-16 18:14:49
0次
金融界2025年8月9日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“MOS器件及其制作方法”的专利，公开号CN120456581A，申请日期为2025年07月。
专利摘要显示，本发明公开了一种MOS器件及其制作方法，其中方法包括以下步骤：在MOS器件的硅衬底表面形成氧化硅层；在氧化硅层上依次沉积高介电常数的第一材料层和牺牲层，刻蚀牺牲层，形成牺牲栅极结构；在牺牲栅极结构上形成低介电常数的第二材料层并刻蚀，在牺牲栅极结构两侧形成偏移侧墙结构；刻蚀偏移侧墙结构两侧硅衬底上的第一材料层，并在硅衬底上形成低掺杂漏极区域；在偏移侧墙结构外侧形成一定厚度的第三材料层，该第三材料层为低介电常数材料层；形成源漏极高掺杂区域；刻蚀牺牲栅极结构及其下方的第一材料层，形成栅极区域凹槽，并在栅极区域凹槽内形成栅极；完成MOS器件的后续工艺。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1192条，此外企业还拥有行政许可21个。
来源：金融界
相关内容
热门资讯
上峰水泥参股企业粤芯半导体创业...
甘肃上峰水泥股份有限公司于12月21日晚间发布公告，其参股企业粤芯半导体技术股份有限公司首次公开发行...
股票行情快报：华灿光电（300...
证券之星消息，截至2025年12月22日收盘，华灿光电(300323)报收于7.49元，上涨0.94...
重磅！全球首款，2nm手机芯片...
来源：每日经济新闻综合自财联社、每经app（记者：高涵）、券商中国 手机芯片，进入2nm时代！ 据财...
沃格光电：玻璃基雷达射频器件T...
有投资者在互动平台向沃格光电提问：“公司之前提到在玻璃基雷达射频器件的TR组件在航空航天、卫星通信等...
中材科技：低介电二代电子布已批...
每经AI快讯，12月22日，中材科技在互动平台表示，公司低介电二代纤维布已批量稳定供货。在人工智能、...
12月22日中小责任（3996...
证券之星消息，12月22日，中小责任（399651）指数报收于1713.04点，涨0.79%，成交3...
12月22日380电信（000...
证券之星消息，12月22日，380电信（000112）指数报收于6051.76点，涨3.17%，成交...
曜越推出Toughpower ...
IT之家 12 月 22 日消息，Thermaltake 曜越现已在官网上线 Toughpower ...
达利凯普：宏明电子IPO过会对...
有投资者在互动平台向达利凯普提问：“您好！历史悠久的阻容电子元器件厂商宏明电子IPO已过会，即将上市...
算力高于英伟达，媒体爆料Mom...
如今各家厂商之间的智驾竞赛已经从单纯的算法之争扩展到芯片领域，小鹏、蔚来等玩家纷纷掏出自研芯片。近日...